تحلیل فنی حافظه HBS SK Hynix با فناوری ترکیب DRAM و NAND

کلمات پیشنهادی: ایسوس NVIDIA PNY ورک استیشن گرافیک هوش مصنوعی تجهیزات هوش مصنوعی شاسی هوش مصنوعی سرور روتر مودم H200 PRO6000 6000
نمایش نتایج بیشتر
پشتیبانی بله
نمایی از حافظه جدید SK Hynix با فناوری ترکیب DRAM و NAND در کستل‌پی‌سی

تحلیل حافظه HBS SK Hynix با ترکیب DRAM و NAND | کستل‌پی‌سی

8 بازدید
0 دیدگاه
21 آبان، 1404
زمان مطالعه: 4 دقیقه
شرکت SK Hynix حافظه جدید HBS را معرفی کرده که تراشه‌های DRAM و NAND را با فناوری VFO در یک ماژول کم‌مصرف و کم‌حجم ادغام می‌کند. این نوآوری بهره‌وری و عملکرد هوش مصنوعی دستگاه‌های موبایل را بهبود می‌بخشد.

خلاصه و نکات کلیدی


  • فناوری HBS تراشه‌های DRAM و NAND را در یک ماژول واحد ادغام می‌کند تا سرعت و کارایی حافظه را افزایش دهد.
  • استفاده از فناوری Vertical Wire Fan-Out (VFO) برای اتصال عمودی لایه‌های حافظه و کاهش تأخیر در انتقال داده.
  • کاهش مصرف انرژی به میزان ۵ درصد و ارتفاع پکیج تا ۲۷ درصد نسبت به بسته‌بندی‌های سنتی.
  • عدم نیاز به فرآیند پرهزینه Through-Silicon Via (TSV) زمینه‌ساز افزایش بهره‌وری در تولید است.
  • دستیابی به عملکرد بهتر در پردازش‌های هوش مصنوعی در دستگاه‌های موبایل و تبلت.

فناوری جدید حافظه SK Hynix چگونه کار می‌کند؟


بر اساس گزارش کستل‌پی‌سی، شرکت کره‌ای SK Hynix فناوری نوینی را توسعه داده که عملکرد هوش مصنوعی را در دستگاه‌های موبایل به‌طور قابل توجهی ارتقاء می‌دهد. فناوری کلیدی این ساختار Vertical Wire Fan-Out (VFO) است که امکان قرارگیری عمودی ۱۶ لایه از تراشه‌های DRAM و NAND را فراهم می‌کند. این اتصال مستقیم و خطی باعث کاهش افت سیگنال و تاخیر داده‌ها می‌شود و در نتیجه حاصل آن بازدهی و پهنای باند بیشتر است.

نتیجه این فناوری، تولید پکیج حافظه High-Bandwidth Storage (HBS) با زمان پردازش بهبود یافته و مصرف انرژی بهینه است که مشابه تاثیر حافظه‌های HBM بر پردازنده‌های گرافیکی و هوش مصنوعی سرورها عمل می‌کند.

ویژگیشرح
تعداد لایه‌ها۱۶ لایه DRAM و NAND
فن‌آوری اتصالVertical Wire Fan-Out (VFO)
کاهش تاخیراستفاده از اتصالات خطی و مستقیم به جای سیم‌کشی‌های منحنی

کوچک‌تر، سریع‌تر و خنک‌تر: مزایای حافظه با پهنای باند بالا (HBS)


شرکت SK Hynix با فناوری جدید VFO توانسته سیم‌کشی را ۴.۶ برابر کاهش داده و مصرف انرژی را ۵ درصد کمتر کند. علاوه بر این، دفع حرارت ۱.۴ درصد بهبود یافته و ارتفاع بسته‌بندی پکیج تا ۲۷ درصد کاهش یافته است. این مشخصات باعث شده تا دستگاه‌های موبایل باریک‌تر و با دمای کاری بهینه‌تری تولید شوند.

یکی از مزایای کلیدی این فناوری، حذف فرآیند پرهزینه Through-Silicon Via (TSV) در تولید است که موجب کاهش چشمگیر هزینه‌ها و افزایش بازدهی تولید می‌شود و امکان تولید انبوه اقتصادی‌تر را فراهم می‌کند.

تأثیر HBS بر عملکرد هوش مصنوعی در تراشه‌های موبایل


ماژول HBS شرکت SK Hynix، در صورت یکپارچه شدن با پردازنده کاربردی (AP)، توانایی مدیریت بارهای کاری سنگین هوش مصنوعی را در گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها بهبود می‌بخشد. پیش‌تر این فناوری در بسته‌بندی DRAM هدست واقعیت ترکیبی اپل ویژن پرو به‌کار گرفته شده است که نشان‌دهنده بلوغ و قابلیت اطمینان بالای آن است.

این فناوری می‌تواند نقشی کلیدی در افزایش توان پردازش هوش مصنوعی در دستگاه‌های همراه ایفا کند و زمینه‌ساز پیشرفت در نسل بعدی محصولات باشد.

نمایی از حافظه جدید SK Hynix با فناوری ترکیب DRAM و NAND در کستل‌پی‌سی
دیدگاه ها ثبت دیدگاه

اولین نفری باشید که دیدگاهی ثبت میکند!

سبد خرید(0 محصول) تعداد کل: 0
ناموجود
پشتیبانی واتساپ تماس بله پشتیبانی بله